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TC58CVG0S3HRAIG

Mfr# TC58CVG0S3HRAIG
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG0S3HRAIG
Specifiche TC58CVG0S3HRAIG.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TC58CVG0S3HRAIG
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 12515 pcs
Specifiche TC58CVG0S3HRAIG.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 8-WSON (6x8)
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 8-WDFN Exposed Pad
Altri nomi TC58CVG0S3HRAIGBAH
TC58CVG0S3HRAIGYCJ
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 155µs 8-WSON (6x8)
Frequenza dell'orologio 104MHz
Tempo di accesso 155µs

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