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TC58BYG1S3HBAI6

Mfr# TC58BYG1S3HBAI6
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI6
Specifiche TC58BYG1S3HBAI6.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TC58BYG1S3HBAI6
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 13410 pcs
Specifiche TC58BYG1S3HBAI6.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 67-VFBGA (6.5x8)
Serie Benand™
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 67-VFBGA
Altri nomi TC58BYG1S3HBAI6JDH
TC58BYG1S3HBAI6YCL
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Tempo di accesso 25ns

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