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TC58CVG2S0HQAIE

Mfr# TC58CVG2S0HQAIE
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HQAIE
Specifiche TC58CVG2S0HQAIE.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TC58CVG2S0HQAIE
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5979 pcs
Specifiche TC58CVG2S0HQAIE.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOP
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Altri nomi TC58CVG2S0HQAIEY0J
TC58CVG2S0HQAIEYCJ
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria SPI - Quad I/O
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 16-SOP
Frequenza dell'orologio 104MHz
Tempo di accesso 280µs

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