TC58CVG2S0HRAIG

Mfr#	TC58CVG2S0HRAIG
Mfr.	Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione	IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni	Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58CVG2S0HRAIG

Specifiche	TC58CVG2S0HRAIG.pdf

Descrizione

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Parametro del prodotto
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Modello di prodotti	TC58CVG2S0HRAIG
fabbricante	Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione	IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	7389 pcs
Specifiche	TC58CVG2S0HRAIG.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	-
Tensione di alimentazione -	2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia	FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore	8-WSON (6x8)
Serie	-
imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	8-WDFN Exposed Pad
Altri nomi	TC58CVG2S0HRAIGBAH TC58CVG2S0HRAIGY0J TC58CVG2S0HRAIGYCJ
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo di memoria	Non-Volatile
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria	SPI - Quad I/O
Formato di memoria	FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 8-WSON (6x8)
Frequenza dell'orologio	104MHz
Tempo di accesso	280µs