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TC58CYG0S3HQAIE

Mfr# TC58CYG0S3HQAIE
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58CYG0S3HQAIE
Specifiche TC58CYG0S3HQAIE.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TC58CYG0S3HQAIE
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4727 pcs
Specifiche TC58CYG0S3HQAIE.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 16-SOP
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Altri nomi TC58CYG0S3HQAIEY0J
TC58CYG0S3HQAIEYCJ
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 1Gb (128M x 8)
Interfaccia di memoria SPI
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) SPI 104MHz 155µs 16-SOP
Frequenza dell'orologio 104MHz
Tempo di accesso 155µs

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