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TC58BYG1S3HBAI4

Mfr# TC58BYG1S3HBAI4
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TC58BYG1S3HBAI4
Specifiche TC58BYG1S3HBAI4.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TC58BYG1S3HBAI4
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 8387 pcs
Specifiche TC58BYG1S3HBAI4.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 63-TFBGA (9x11)
Serie Benand™
Contenitore / involucro 63-VFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Interfaccia di memoria -
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) 63-TFBGA (9x11)

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