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TH58NVG3S0HTAI0

Mfr# TH58NVG3S0HTAI0
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG3S0HTAI0
Specifiche TH58NVG3S0HTAI0.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TH58NVG3S0HTAI0
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5575 pcs
Specifiche TH58NVG3S0HTAI0.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 48-TSOP I
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Altri nomi TH58NVG3S0HTAI0B4H
TH58NVG3S0HTAI0YCJ
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
Tempo di accesso 25ns

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