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TH58BYG3S0HBAI6

Mfr# TH58BYG3S0HBAI6
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG3S0HBAI6
Specifiche TH58BYG3S0HBAI6.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti TH58BYG3S0HBAI6
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 3707 pcs
Specifiche TH58BYG3S0HBAI6.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 25ns
Tensione di alimentazione - 1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore 67-VFBGA (6.5x8)
Serie Benand™
Contenitore / involucro 67-VFBGA
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 8Gb (1G x 8)
Interfaccia di memoria -
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND (SLC) Memory IC 8Gb (1G x 8) 67-VFBGA (6.5x8)

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