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THGBMHG9C4LBAIR

Mfr# THGBMHG9C4LBAIR
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 512G MMC 153WFBGA
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. THGBMHG9C4LBAIR
Specifiche 1.THGBMHG9C4LBAIR.pdf
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Descrizione

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Modello di prodotti THGBMHG9C4LBAIR
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 512G MMC 153WFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5439 pcs
Specifiche 1.THGBMHG9C4LBAIR.pdf 2.THGBMHG9C4LBAIR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore 153-WFBGA (11.5x13)
Serie e•MMC™
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 153-WFBGA
Altri nomi THGBMHG9C4LBAIRA43
THGBMHG9C4LBAIRA4H
THGBMHG9C4LBAIRA4L
THGBMHG9C4LBAIRAPL
THGBMHG9C4LBAIRH4H
THGBMHG9C4LBAIRH4L
THGBMHG9C4LBAIRHJL
THGBMHG9C4LBAIRHLL
THGBMHG9C4LBAIRJ4L
THGBMHG9C4LBAIRJ4S
THGBMHG9C4LBAIRYFE
THGBMHG9C4LBAIRYFJ
THGBMHG9C4LBAIRYGE
THGBMHG9C4LBAIRYGJ
THGBMHG9C4LBAIRYHG
THGBMHG9C4LBAIRYHL
temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria MMC
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) MMC 52MHz 153-WFBGA (11.5x13)
Frequenza dell'orologio 52MHz

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