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THGAF8G9T43BAIR

Mfr# THGAF8G9T43BAIR
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 512G UFS 153VFBGA
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. THGAF8G9T43BAIR
Specifiche THGAF8G9T43BAIR.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti THGAF8G9T43BAIR
fabbricante Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione IC FLASH 512G UFS 153VFBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 947 pcs
Specifiche THGAF8G9T43BAIR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia FLASH - NAND
Contenitore dispositivo fornitore 153-VFBGA (11.5x13)
Serie Consumer UFS
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 153-VFBGA
Altri nomi THGAF8G9T43BAIRH2L
temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Non-Volatile
Dimensione della memoria 512Gb (64G x 8)
Interfaccia di memoria UFS
Formato di memoria FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)

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