TH58BVG2S3HTA00

Mfr#	TH58BVG2S3HTA00
Mfr.	Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni	Scopri di più su Toshiba Memory America, Inc. TH58BVG2S3HTA00

Specifiche	TH58BVG2S3HTA00.pdf

Descrizione

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Parametro del prodotto
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Modello di prodotti	TH58BVG2S3HTA00
fabbricante	Toshiba Memory America, Inc.
Descrizione	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	6858 pcs
Specifiche	TH58BVG2S3HTA00.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina	25ns
Tensione di alimentazione -	2.7 V ~ 3.6 V
Tecnologia	FLASH - NAND (SLC)
Contenitore dispositivo fornitore	48-TSOP I
Serie	Benand™
imballaggio	Tray
Contenitore / involucro	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Altri nomi	TH58BVG2S3HTA00B4H TH58BVG2S3HTA00YCJ TH58BVG2S3HTA00YCL
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)
Tipo di memoria	Non-Volatile
Dimensione della memoria	4Gb (512M x 8)
Interfaccia di memoria	Parallel
Formato di memoria	FLASH
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
Tempo di accesso	25ns