SPD01N60C3BTMA1

Mfr#	SPD01N60C3BTMA1
Mfr.	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni	Scopri di più su International Rectifier (Infineon Technologies) SPD01N60C3BTMA1

Specifiche	SPD01N60C3BTMA1.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti	SPD01N60C3BTMA1
fabbricante	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile	5628 pcs
Specifiche	SPD01N60C3BTMA1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.9V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	PG-TO252-3
Serie	CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs	6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	11W (Tc)
imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi	SPD01N60C3BTMA1CT SPD01N60C3INCT SPD01N60C3INCT-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	100pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	5nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800mA (Tc)