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70V7519S133BF

Mfr# 70V7519S133BF
Mfr. IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su IDT (Integrated Device Technology) 70V7519S133BF
Specifiche 70V7519S133BF.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti 70V7519S133BF
fabbricante IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 328 pcs
Specifiche 70V7519S133BF.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina -
Tensione di alimentazione - 3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore 208-CABGA (15x15)
Serie -
imballaggio Tray
Contenitore / involucro 208-LFBGA
Altri nomi IDT70V7519S133BF
IDT70V7519S133BF-ND
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
Frequenza dell'orologio 133MHz
Numero di parte base IDT70V7519
Tempo di accesso 4.2ns

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