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70V658S10BF8

Mfr# 70V658S10BF8
Mfr. IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
Stato RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su IDT (Integrated Device Technology) 70V658S10BF8
Specifiche 1.70V658S10BF8.pdf
  2.70V658S10BF8.pdf

Descrizione

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Modello di prodotti 70V658S10BF8
fabbricante IDT (Integrated Device Technology)
Descrizione IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA
Stato Lead senza piombo / RoHS Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile 449 pcs
Specifiche 1.70V658S10BF8.pdf 2.70V658S10BF8.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina 10ns
Tensione di alimentazione - 3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore 208-CABGA (15x15)
Serie -
imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro 208-LFBGA
Altri nomi IDT70V658S10BF8
IDT70V658S10BF8-ND
temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo di memoria Volatile
Dimensione della memoria 2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria Parallel
Formato di memoria SRAM
Produttore tempi di consegna standard 10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base IDT70V658
Tempo di accesso 10ns

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