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RGP10J

Mfr# RGP10J
Mfr. AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Stato RoHS Senza piombo / RoHS conforme
Maggiori informazioni Scopri di più su AMI Semiconductor / ON Semiconductor RGP10J
Specifiche

Descrizione

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Modello di prodotti RGP10J
fabbricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A DO41
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 280204 pcs
Specifiche
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.3V @ 1A
Tensione - inversa (Vr) (max) 600V
Contenitore dispositivo fornitore DO-41
Velocità Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie -
Tempo di ripristino inverso (trr) 250ns
imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro DO-204AL, DO-41, Axial
Altri nomi RGP10JCT
Temperatura di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C
Tipo montaggio Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 12 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo Standard
Descrizione dettagliata Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-41
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5µA @ 600V
Corrente - raddrizzata media (Io) 1A
Capacità a Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Numero di parte base RGP10J

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