IRF520STRR

Mfr#	IRF520STRR
Mfr.	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Maggiori informazioni	Scopri di più su Electro-Films (EFI) / Vishay IRF520STRR

Specifiche	IRF520STRR.pdf

Descrizione

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Parametro del prodotto
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Modello di prodotti	IRF520STRR
fabbricante	Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	24813 pcs
Specifiche	IRF520STRR.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore	D2PAK
Serie	-
Rds On (max) a Id, Vgs	270 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 60W (Tc)
imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	360pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.2A (Tc)